плавное включение и выключение освещения

Автоматические устройства обеспечивающие плавное включение и выключение освещения широко применяются на производстве и в быту. К примеру, в кинотеатрах для адаптации зрения перед началом сеанса с помощью таких приборов свет медленно гасят, а после окончания фильма постепенно зажигают, на птицефабриках имитируют закаты и рассветы, создавая искусственные сутки. С помощью прибора можно выполнить плавное включение света в квартире, сделать смену дня и ночи для аквариумных рыбок и многое другое. Подобные устройства позволяют увеличить срок службы ламп накаливания — особенно высокотемпературных кварцевых и наружного освещения, работающих в зимнее время.

Реле плавного включения света построено на основе тринисторного регулятора с фазоимпульсным управлением. Принципиальная схема плавного включения света, показана на рисунке. схема плавного включения светаНа управляющий электрод тринистора VS1 подают открывающие импульсы с эмиттера транзистора VT2, образующего совместно с транзистором VT1 аналог однопереходного транзистора, открывающегося при достижении напряжения на конденсаторе С1 определенной величины.

Конденсатор С1, резистор R5 и переход «эмиттер-коллектор» транзистора VT3 образуют так называемую фазосдвигающую цепь. Чем больше сопротивление перехода «эмиттер-коллектор» VT3, тем дольше заряжается С1 и тем значительнее будет сдвиг фазы открывающего напряжения относительно напряжения на аноде тринистора. Следовательно, в течение действия одного положительного полупериода сетевого импульса тринистор будет открыт более короткое время (свечение лампы станет слабее). И наоборот, с уменьшением сопротивления перехода «эмиттер-коллектор» VT3 конденсатор С1 успевает заряжаться за меньший промежуток времени действия положительного полупериода сетевого импульса, и тринистор будет открыт дольше (лампа горит ярче). Сказанное иллюстрирует график работы тринисторного ключа при различных сопротивлениях Rn перехода. Таким образом, если сопротивление перехода транзистора плавно менять, то так же плавно будет изменяться яркость свечения лампы.

Сопротивление переходов транзисторов, особенно германиевых, зависит от температуры. При нагревании корпусов германиевых полупроводниковых приборов от 20° до 60°— 70″С сопротивление переходов принимает значения от сотен до единиц кОм. Этот общий недостаток германиевых транзисторов и использован в работе данного устройства.

Корпус транзистора нагревают с помощью внешнего нагревательного элемента, а затем после его отключения полупроводниковый прибор постепенно остывает. Образованный таким образом «терморон» схема плавного включения света датчик(назван так по аналогии с оптроном) выполняет функцию регулирующего элемента, изменяющего свое сопротивление в зависимости от температуры нагрева. Причем скорость ее изменения зависит от конструкции «терморона».

Нагревательным элементом служит резистор МЛТ-0,5 сопротивлением 56 кОм. Рассеиваемая им тепловая мощность незначительно превышает максимально допустимую. Резистор крепят к корпусу транзистора через изоляционную прокладку клеем БФ-2. Теперь, изменяя лишь скорость нагрева корпуса транзистора, можно плавно менять выдержки времени зажигания и погасания лампы — от единиц секунд до нескольких часов. Так, например, если транзистор VT3 с нагревательным элементом поместить в колбу от термоса емкостью 1 л, лампа будет постепенно загораться в течение 30 мин. Причем находящиеся в колбе транзистор VT3 и нагревательный элемент следует разнести, а их выводы через горловину колбы вывести наружу и заизолировать. Горловину закрывают резиновой или деревянной пробкой.схема плавного включения света монтажная схема

 

Если автомат предполагается использовать лишь для плавного зажигания лампы, его можно упростить, применив в качестве нагревательного элемента саму осветительную лампу. В этом случае транзистор VT3, помещенный вместе с выводами в окрашенную в черный цвет защитную оболочку, располагают рядом с колбой.

 

Оставьте свой отзыв

This blog is kept spam free by WP-SpamFree.

Сайт соответствует положениям Федерального закона «О ЗАЩИТЕ ДЕТЕЙ ОТ ИНФОРМАЦИИ, ПРИЧИНЯЮЩЕЙ ВРЕД ИХ ЗДОРОВЬЮ И РАЗВИТИЮ»